samsung annoncerer omfattende processkema ned til 4 nm - Samsung

Samsung annoncerer omfattende proces-køreplan ned til 4 nm



Samsung stands as a technology giant in the industry, with tendrils stretching out towards almost every conceivable area of consumer, prosumer, and professional markets. It is also one of the companies which can actually bring up the fight to Intel when it comes to semiconductor manufacturing, with some analysts predicting the South Korean will dethrone Intel as the top chipmaker in Q2 of this year. Samsung scales from hyper-scale data centers to the internet-of-things, and is set to lead the industry with 8nm, 7nm, 6nm, 5nm, 4nm and 18nm FD-SOI in its newest process technology roadmap. The new Samsung roadmap shows how committed the company is (and the industry with it) towards enabling the highest performance possible from the depleting potential of the silicon medium. The 4 nm 'post FinFET' structure process is set to be in risk production by 2020.

Denne meddelelse markerer også Samsungs gentagelse om brugen af ​​EUV (Extreme Ultra Violet) -teknologi til wafer-fremstilling, en teknologi, der længe er blevet hyldet som frelser for tættere processer, men som i sidste ende er blevet skubbet ud af markedsoptagelse på grund af dens kompleksitet. Kelvin Low, senior direktør for støberemarkedsføring hos Samsung, sagde, at det 'magiske antal' for produktivitet (som i med et bæredygtigt investerings / afkastforhold) med EUV er 1.500 skiver om dagen. Samsung har allerede overskredet 1.000 skiver om dagen og har en høj grad af tillid til, at 1.500 skiver pr. Dag er opnåelige.

Samsungs nyeste støberiprocesssteknologier og -løsninger introduceret på det årlige Samsung Foundry Forum inkluderer:

8LPP (8nm Low Power Plus)
8LPP giver den mest konkurrencedygtige skaleringsfordel inden overgangen til EUV (Extreme Ultra Violet) litografi. Ved at kombinere centrale procesinnovationer fra Samsungs 10nm-teknologi tilbyder 8LPP yderligere fordele inden for ydeevne og porttæthed sammenlignet med 10LPP.

7LPP (7nm Low Power Plus)
7LPP vil være den første halvlederprocessteknologi, der bruger en EUV-litografiløsning. 250W af maksimal EUV
Kildekraft, som er den vigtigste milepæl for EUV-indsættelse i højvolumenproduktion, blev udviklet af Samsung og ASML's samarbejdsindsats. EUV-litografidistribution vil bryde hindringerne for Moore's lovskalering og baner vejen for generationer af en enkelt nanometer halvlederteknologi.

6LPP (6nm Low Power Plus)
6LPP vil vedtage Samsungs unikke Smart Scaling-løsninger, der vil blive integreret oven på den EUV-baserede 7LPP-teknologi, hvilket giver mulighed for større skalering af arealer og ultralavneffektfordele.

5LPP (5nm Low Power Plus)
5LPP udvider den fysiske skaleringsgrænse for FinFET-strukturen ved at implementere teknologiinnovationer fra den næste procesgenerering, 4LPP, for bedre skalering og effektreduktion.

4LPP (4nm Low Power Plus)
4LPP vil være den første implementering af næste generations enhedsarkitektur - MBCFETTM-struktur (Multi Bridge Channel FET). MBCFETTM er Samsungs unikke GAAFET (Gate All Around FET) -teknologi, der bruger en Nanosheet-enhed til at overvinde de fysiske skalerings- og ydelsesbegrænsninger i FinFET-arkitekturen.

FD-SOI (fuldt udtømt - silicium på isolator)
Well suited for IoT applications, Samsung will gradually expand its 28FDS technology into a broader platform offering by incorporating RF (Radio Frequency) and eMRAM(embedded Magnetic Random Access Memory) options. 18FDS is the next generation node on Samsung's FD-SOI roadmap with enhanced PPA (Power/Performance/Area). Sources: Samsung Newsroom, eeTimes